60R580Q

El 60R580Q de MagnaChip es un MOSFET de potencia de canal N, fabricado con tecnología de Super-Union (específicamente la serie MDmesh o similares de MagnaChip), diseñado para ofrecer una resistencia muy baja cuando está encendido y un rendimiento térmico eficiente en aplicaciones de alta densidad de potencia.

Vds (Voltaje Drenaje-Fuente): 600 Voltios. Es el voltaje máximo que puede soportar cuando está en estado de corte.

Id (Corriente de Drenaje Continua): Aproximadamente 8 Amperios (a una temperatura de 25 grados C).

Rds(on) (Resistencia en encendido): Máximo 0.580 Ohms (580 miliohms). Una resistencia baja significa que el componente desperdicia menos energía en forma de calor.

Vgss (Voltaje Puerta-Fuente): +/- 30 Voltios.

Qg (Carga total de puerta): Es baja, lo que permite que el componente conmute (encienda y apague) muy rápido, reduciendo las pérdidas por conmutación.

Tecnología: Super-Junction MOSFET. Esta tecnología permite que el chip sea má

Generalmente se encuentra en formato TO-220 o TO-220F (la versión F es aislada, lo que facilita el montaje en disipadores de calor sin necesidad de aislantes adicionales).

Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS)

Se utiliza como el interruptor principal en fuentes de poder de computadoras, televisores LED y adaptadores de corriente de alta gama.

2. Correctores de Factor de Potencia (PFC)

Ayuda a mejorar la eficiencia con la que los aparatos consumen energía de la red eléctrica, minimizando el ruido armónico.

3. Balastros Electrónicos e Iluminación LED

Debido a su capacidad de manejar 600V, es ideal para controlar arreglos de LEDs de alta potencia alimentados directamente desde la línea de CA (110V/220V).

4. Cargadores de Vehículos Eléctricos y Convertidores DC-DC

En etapas donde se requiere elevar o reducir voltajes altos con una pérdida mínima de energía.