W26NM50

El STW26NM50 (comúnmente marcado como W26NM50) de STMicroelectronics es un transistor MOSFET de potencia de canal N (N-Channel Power MOSFET) perteneciente a la tecnología de superunión MDmesh.

Diseñado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y convertidores de potencia, este dispositivo combina una tensión de ruptura drenador-fuente de 500 V con una baja resistencia en conducción de 0.10 Ohmios a 0.12 Ohmios (RDS(on) máx.) y una corriente continua de drenador de 26 A en un encapsulado de orificio pasante TO-240 / TO-247. Su estructura interna optimiza la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida intrínseca, permitiendo altas velocidades de conmutación (dv/dt elevado), reducción de pérdidas por conmutación y excelente rendimiento térmico para montaje directo sobre disipador.

Specs

Fabricante: STMicroelectronics

Modelo / Referencia: STW26NM50 (Marcado: W26NM50)

Familia / Serie: Serie MDmesh / Power MOSFETs

Tipo de Componente: Transistor MOSFET de potencia de canal N (Through-Hole)

Desglose de la Nomenclatura

ST: Fabricante STMicroelectronics

W: Encapsulado TO-247

26: Corriente continua nominal de drenador (26 A)

NM: Tecnología MDmesh (MOSFET de superunión)

50: Tensión nominal máxima de drenador-fuente (50 x 10 V = 500 V)

Especificaciones Eléctricas de Potencia

Tensión Drenador-Fuente (VDS): 500 V

Tensión Puerta-Fuente (VGS): +/- 30 V

Corriente Continua de Drenador (ID a TC = 25 °C): 26 A

Corriente Continua de Drenador (ID a TC = 100 °C): 16.4 A

Corriente Pulsada de Drenador (IDM): 104 A (pulso de ancho limitado por Tj max)

Resistencia en Conducción Drenador-Fuente (RDS(on)):

Típica: 0.10 Ohmios (a VGS = 10 V, ID = 13 A)

Máxima: 0.12 Ohmios (a VGS = 10 V, ID = 13 A)

Potencia Total Disipada (Ptot a TC = 25 °C): 250 W

Factor de Desclasificación de Potencia: 2.0 W/°C

Parámetros Dinámicos y de Conmutación

Tensión Umbral Puerta-Fuente (VGS(th)): 3.0 V a 5.0 V (a VDS = VGS, ID = 250 µA)

Carga Total de Puerta (Qg): Aprox. 50 nC a 65 nC (a VGS = 10 V, VDS = 400 V, ID = 26 A)

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 2400 pF a 2900 pF (a VDS = 25 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 450 pF a 600 pF

Capacitancia Inversa de Transferencia (Crss): Aprox. 30 pF a 50 pF

Tiempo de Subida / Bajada (tr / tf): Aprox. 18 ns / 15 ns

Especificaciones del Diodo Drenador-Fuente (Cuerpo)

Corriente Continua de Diodo Fuente-Drenador (IS): 26 A

Corriente Pulsada de Diodo (ISM): 104 A

Tensión Directa de Diodo (VSD): Máx. 1.5 V (a IS = 26 A, VGS = 0 V)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 360 ns a 450 ns

Capacidad de Avalancha (IAR / EAS): 13 A / 500 mJ a 700 mJ (pulso simple)

Especificaciones Mecánicas y Térmicas

Tipo de Encapsulado: TO-247 (formato industrial de 3 pines pasantes)

Configuració

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): 0.50 °C/W (K/W)

Resistencia Térmica Unión a Ambiente (Rth(j-a)): 50 °C/W (K/W)

Temperatura Máxima de Unión en Operación (Tj): -55 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Peso Aproximado: 4.5 g a 5.5 g

Cumplimiento: Conforme a directiva RoHS, libre de plomo

Fuentes de alimentación conmutadas industriales (SMPS) y servidores de telecomunicaciones.

Etapas de corrección del factor de potencia (PFC activo) en topologías elevadoras (Boost).

Convertidores DC/DC resonantes (LLC / ZVS) y convertidores de puente completo o medio puente.

Balastos electrónicos de iluminación de alta potencia y controladores de motores de CC.