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2SC3998
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2SC3998
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Features
NPN Trriple Diffused Planar Silicon Transistor
High speed (tf=100ns typ)
High breakdown voltage (VCBO=1500V)
High reliability (adoption of HVP process)
Adoption of MBIT process
Aplications
Applications
Very High-Definition Color Display
Horizontal Deflection Output
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
2SC3998
Semiconductor
2SC3998
Referencias específicas
- MPN
- 2SC3998
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