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2SD1020
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Features
Silicon NPN Transistor
High Total Power Dissipation, PT = 350 mW
High Hfe and low VCE (sat)
Hfe (IC) = 100mA) : 200 TYP.
VCE (sat) (700mA) : 0.20 TYP.
Complementary to the NEC 2SB810 PNP transistor
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SD1020
Referencias específicas
- MPN
- 2SD1020
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