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2SD1020
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2SD1020
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Features
- Silicon NPN Transistor
- High Total Power Dissipation, PT = 350 mW
- High Hfe and low VCE (sat)
- Hfe (IC) = 100mA) : 200 TYP.
- VCE (sat) (700mA) : 0.20 TYP.
- Complementary to the NEC 2SB810 PNP transistor
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
2SD1020
Referencias específicas
- MPN
- 2SD1020
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