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FDA50N50
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FDA50N50
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Features
N-Channel MOSFET
48A, 500 V, RDS(on) = 0.105 Ohms @ VGS = 10 V
Low gate charge (typical 105 nC)
Low CRSS (typical 45 pF)
Fast switching
100 % avalanche tested
Improved dv/dt capability
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
FDA50N50
Referencias específicas
- MPN
- FDA50N50
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