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HAT1072H
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HAT1072H
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Features
Silicon P Channel Power MOS FET
Capable of -4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
RDS(on) = 3.6 mOhms typ ( at VGS = -10 V)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
HAT1072H
Referencias específicas
- MPN
- HAT1072H
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