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PH600S280-24P1 TDK
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PH600S280-24P1 TDK
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Features
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Super Low on-state resistance :
RDS(on)1 = 11mOhms MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A)
RDS(on)2 = 13 mOhms MAX. (VGS = 4.5 V , ID = 42A)
Low Ciss : Ciss = 11000 pF TYP.
Built-in gate protection diode
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
PH600S280-24P1 TDK
Referencias específicas
- MPN
- PH600S280-24P1 TDK
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