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STW4N150
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STW4N150
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Features
N-Channel Power MOSFET
100 % avalanche tested
Intrinsic capacitances and Qg minimized
High speed switching
Fully isolated TO-3PF plastic package
Creepage distance path is 5.4 mm (typ) for TO-3PF
Aplications
Applications
Switching
STW4N150
Referencias específicas
- MPN
- STW4N150
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