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UPA1501H
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UPA1501H
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Features
N-Channel Power MOS FET Array Transistor
4 V driving is possible
Low On-state Resistance
RDS(on)<= 0.42 Ohms Max. (VGS= 10 V, ID= 2 A)
RDS(on)<=0.49 Ohms Max. (VGS = 4 V, ID = 2 A)
Surge Absorber, built in
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
UPA1501H
Referencias específicas
- MPN
- UPA1501H
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