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MG50J2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50J2YS50

50A/600V/2U

No Identificado

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Quantité
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

The Electrodes are Isolated from Case

High Input Impedance

Includes a Complete Half Bridge in

One Package

Enhancement-Mode

High Speed :

tf=0.30us (Max.) (IC=50A)

trr=0.15us (Max.) (IF = 50A)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC=50A)

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

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IGBT 50A 600V DUAL

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Références spécifiques

MPN
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