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2MBI150SC-120

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MODULOS IGBT

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Datasheet2MBI150SC-120

150A/1200V/2U

FUJI ELECTRIC

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Features

El Fuji 2MBI150SC-120 es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de doble canal diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia. Este mó

Especificaciones Eléctricas Principales

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios. Esto permite su uso en sistemas industriales que operan con voltajes de red de hasta 480V AC.

Corriente de Colector (Ic): 150 Amperios (a 25°C).

Configuración: Dual (Medio Puente). Contiene dos IGBTs conectados en serie internamente, lo que facilita la creación de puentes inversores para motores.

Voltaje de Saturación (Vce sat): Típicamente 2.3 Voltios. Un valor bajo que minimiza las pérdidas por conducción y el calentamiento.

Caracterí

Tecnología NPT (Non-Punch Through): Ofrece un coeficiente de temperatura positivo, lo que facilita la conexión de varios módulos en paralelo (comparten la carga de forma equilibrada).

Diodos de Recuperación Rápida (FWD): Incluye diodos de protección integrados en paralelo con cada IGBT para manejar corrientes inversas y proteger contra picos inductivos.

Base Aislada: La placa base de cobre está aislada eléctricamente de los terminales, permitiendo montar varios módulos en un mismo disipador de calor.

El módulo presenta terminales de tornillo para la potencia y pines de inserción para el control:

C1, C2E1, E2: Terminales de potencia para la entrada de bus DC y la salida hacia la carga.

Aplications

Este módulo es un estándar en equipos de potencia media-alta:

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de velocidad en motores industriales de hasta 45-55 kW aproximadamente (dependiendo de la configuración).

Sistemas UPS: Inversores de respaldo para centros de datos.

Fuentes de Alimentación conmutadas (SMPS): Equipos de alta potencia para telecomunicaciones.

Soldadoras Inverter: Máquinas industriales que requieren ciclos de trabajo pesados.

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Références spécifiques

MPN
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