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MODULOS IGBT
Última actualización
150A/1200V/2U
FUJI ELECTRIC
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El Fuji 2MBI150SC-120 es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de doble canal diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia. Este mó
Especificaciones Eléctricas Principales
Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios. Esto permite su uso en sistemas industriales que operan con voltajes de red de hasta 480V AC.
Corriente de Colector (Ic): 150 Amperios (a 25°C).
Configuración: Dual (Medio Puente). Contiene dos IGBTs conectados en serie internamente, lo que facilita la creación de puentes inversores para motores.
Voltaje de Saturación (Vce sat): Típicamente 2.3 Voltios. Un valor bajo que minimiza las pérdidas por conducción y el calentamiento.
Caracterí
Tecnología NPT (Non-Punch Through): Ofrece un coeficiente de temperatura positivo, lo que facilita la conexión de varios módulos en paralelo (comparten la carga de forma equilibrada).
Diodos de Recuperación Rápida (FWD): Incluye diodos de protección integrados en paralelo con cada IGBT para manejar corrientes inversas y proteger contra picos inductivos.
Base Aislada: La placa base de cobre está aislada eléctricamente de los terminales, permitiendo montar varios módulos en un mismo disipador de calor.
El módulo presenta terminales de tornillo para la potencia y pines de inserción para el control:
C1, C2E1, E2: Terminales de potencia para la entrada de bus DC y la salida hacia la carga.
Este módulo es un estándar en equipos de potencia media-alta:
Variadores de Frecuencia (VFD): Control de velocidad en motores industriales de hasta 45-55 kW aproximadamente (dependiendo de la configuración).
Sistemas UPS: Inversores de respaldo para centros de datos.
Fuentes de Alimentación conmutadas (SMPS): Equipos de alta potencia para telecomunicaciones.
Soldadoras Inverter: Máquinas industriales que requieren ciclos de trabajo pesados.