CM150DXD-24A

El CM150DXD-24A de Mitsubishi Electric (serie NX-Series / Dual IGBT Modules) es un módulo de potencia IGBT de medio puente de 2 elementos (Dual / Half-Bridge IGBT Module), diseñado para aplicaciones de alta eficiencia de conmutación en convertidores de frecuencia para motores de CA, servocontroladores, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores para energía solar y eólica, y sistemas de soldadura industrial.

Fabricado en un encapsulado plano compacto con placa base de cobre aislada para montaje directo sobre disipador térmico, incorpora dos transistores IGBT de 6ª generación CSTBT™ (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor) y diodos de libre circulación (FWD) de recuperación rápida y suave en antiparalelo. Soporta una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 150 A (a Tc = 117 °C / Tc = 25 °C hasta 220 A), con pines para inserción/soldadura directa en PCB o conexión por presión, sensor térmico NTC integrado para monitorización de la placa base, bajas pérdidas por saturación y aislamiento galvánico de 2500 VAC.

Specs

Fabricante: Mitsubishi Electric Corporation

Modelo / Referencia: CM150DXD-24A (NX-Series)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111718 / Módulos de potencia IGBT / Inversores de potencia)

Familia / Serie: NX-Series (Dual / Half-Bridge IGBT Modules)

Tipo de Componente: Módulo de potencia dual IGBT de medio puente (Half-Bridge Dual IGBT Module)

Configuración Interna: 2 IGBTs en serie (rama de medio puente) con diodos FWD antiparalelo y termistor NTC integrado

Tipo de Montaje: Fijación mediante tornillos sobre disipador térmico con terminales de pines para soldadura o presión en PCB (Through-Hole PCB Mount)

Desglose de la Nomenclatura

CM: Módulo IGBT Mitsubishi (Current Module / IGBT)

150: Corriente nominal continua de colector de 150 A

DX: Configuración de medio puente (Dual / Phase Leg)

D: Variante constructiva / distribución de pines de la serie NX

-24: Tensión nominal de bloqueo colector-emisor de 1200 V (24 x 50 V)

A: Versión de tecnología de chip CSTBT™ de 6ª generación

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V continuo

Corriente Continua de Colector (IC): 150 A (a Tc = 117 °C) / hasta 220 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Colector de Pico (ICP): 300 A (pulso transitorio de 1 ms)

Corriente Continua del Diodo Inverso (IE): 150 A (pulso IEM: 300 A)

Disipación Total de Potencia por Elemento (Ptot): Aprox. 850 W a 950 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (Visol): 2500 VAC (50/60 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas de Operación

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 1.8 V a 2.1 V (a IC = 150 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C); aprox. 2.05 V a Tj = 125 °C

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 5.4 V a 7.4 V (a IC = 15 mA)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 24 nF (a VCE = 10 V, VGE = 0 V)

Carga Total de Puerta (QG): Aprox. 750 nC

Tensión Directa del Diodo Emisor (VEC): Típico 1.9 V a 2.4 V (a IE = 150 A, VGE = 0 V)

Tiempo de Resistencia a Cortocircuito (tsc): Mínimo 10 µs (a VCC = 800 V, VGE = 15 V, Tj = 150 °C)

Sensor de Temperatura Integrado (Termistor NTC)

Resistencia Nominal (R25): 5.0 k? (+/- 5% a 25 °C)

Constante B (B25/50): Aprox. 3375 K a 3400 K

Función: Lectura y supervisión térmica de la base para protección frente a sobrecalentamiento en el driver

Propiedades Mecánicas y Térmicas

Formato de Carcasa: Envolvente plana tipo NX

Dimensiones Físicas: Aprox. 122 mm (largo) x 62 mm (ancho) x 17 mm a 20.5 mm (alto)

Material de la Placa Base: Cobre aislado con sustrato cerámico de alta conductividad

Terminales de Conexión: Pines metálicos para montaje directo en placa de control/potencia

Par de Apriete al Disipador: 3.5 N·m a 4.0 N·m (tornillos métricos M5)

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.13 °C/W a 0.15 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.22 °C/W a 0.25 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 300 g

Inversores trifásicos y variadores de frecuencia (VFD) para motores de 45 kW a 75 kW en redes de 400/480 VAC.

Servodrives y controladores de movimiento multieje de gran dinamismo.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) de media y alta potencia.

Inversores de conexión a red para instalaciones fotovoltaicas y generadores eólicos.