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FQP17P06
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel MOS Type Field Effecr Transistor
- Low Drain-Source ON Resistance - RDS(ON) = 1.0 Ohms (Typ.)
- High Forward Transfer Admittance Yfs = 4.0S (Typ.)
- Low Leakage Current - IDSS = 300uA (Max.) (VDS = 10, ID = 1mA)
- Enhancement-Mode
- - Vth = 1.5 - 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA)
Aplications
- Applications
- High Speed, High Current Switching
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Références spécifiques
- MPN
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