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MBN2400E17D
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MBN2400E17D
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N-channel IGBT MODULE
- High speed, low loss IGBT module due to LiPT Trench Technology
- Low noise due to ultra soft fast recovery diode (U-SFD)
- High reverse recovery capability (HiRC)
- High thermal fatigue durability (Tc=70K, N 30,000 cycles)
- Isolated heat sink (terminal to base)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MBN2400E17D
Références spécifiques
- MPN
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