- On request
RJH60F7
13,13 $
Aucune taxe
RJH60F7
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
Silicon N Channel IGBT
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.35 V typ. (at Ic = 50 A, Vge = 15 V, Ta = 25 C)
Built in fast recovery diode in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf=74ns typ. (at Ic_30 A, VCE = 400 V, VGE=15 V, Rg = 5 Ohms, Ta = 25C, inductive load
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
RJH60F7
Références spécifiques
- MPN
- RJH60F7
Commentaires (0)
Aucun avis n'a été publié pour le moment.
16 autres produits dans la même catégorie :
Déjà vus
