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2SK3878
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2SK3878
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N-Channel MOS Transistor
- Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 Ohms (typ.)
- High forward transfer admittance : YFS = 7.0 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS = 100uA (max.) (VDS = 720 V)
- Enhancement model : Vth = 2.0 - 4.0 V (VDS = 10 v, ID = 1mA)
Aplications
- Applications
- Switching Regulator
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Riferimenti Specifici
- MPN
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