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2SB507
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2SB507
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Política de entrega
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Features
- Silicon PNP Power Transistor
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- VCE(sat)= 1.o V (max.) @ IC=2.0 A, IB=0.2A
- DC Current Gain
- hfe=40-320 @ IC=1.0A
- Complementary to NPN 2SD313
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
2SB507
Riferimenti Specifici
- MPN
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