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20J321
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel IGBT
- Fourth-generation IGBT
- Enhancement mode type
- Fast switching (FS) : Operating frequency up tp 50 kHz (reference)
- High speed : tf = 0.04 us (Typ.)
- Low switching loss : Eon = 0.40 mJ (typ.)
- : Eoff = 0.43 mJ (typ.)
- Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.0 V (typ.)
- FRD included between emitter and collector
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Fast switching
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Riferimenti Specifici
- MPN
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