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MG800J1US51
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MG800J1US51
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC=800A)
- trr=0.5us (Max.) (IF=800A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat) = 2.70V (Max.) (IC=800A)
- Outline : TOSHIBA 2-109E1A
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG800J1US51
IGBT 800A 600V SINGLE
MG800J1US51
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG800J1US51
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