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RJH60F0DPK
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RJH60F0DPK
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Silicon N Channel IGBT
- Low collector to emitter saturation voltage
- VCE(sat) = 1.4 V typ. (at Ic = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching
- tf = 90 ns typ. (at Ic = 30 A, Vcc = 400 V, Vge = 15 V, Rg = 5 Ohms, Ta = 25 C, inductive load)
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
RJH60F0DPK
Riferimenti Specifici
- MPN
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