- Agotado
10-F012PMA015SC
$84.00
Sin impuestos
10-F012PMA015SC
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- Collector-emitter voltage VCES 1200 V
- Collector current (DC current) IC Tj = Tjmax Ts = 80 °C 22 A
- Repetitive peak collector current ICRM tp limited by Tjmax 30 A
- Total power dissipation Ptot Tj = Tjmax Ts = 80 °C 60 W
- Gate-emitter voltage VGES ±20 V
- Short circuit ratings tSC VGE = 0 V, VCC = 800 V Tj = 150 °C 9,5 µs
- Maximum junction temperature Tjmax 175 °C
Aplications
- IGBT M7 with low VCEsat and improved EMC behavior
- Open emitter configuration
- Compact and low inductive design
- Builtin NTC
10-F012PMA015SC
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 10-F012PMA015SC
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