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GT30J121
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GT30J121
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Features
Silicon N Channel IGBT
The 4th generation
Enhancement-mode
Fast switching (FS) : Operating frequency up to 50kHz (reference)
High speed : tf = 0.05 us (typ)
Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ)
Eoff = 0.80 mJ (typ)
Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.0 V (TYP)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
GT30J121
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- GT30J121
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