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IXFN200N07
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IXFN200N07
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Features
HiPerFET Power MOSFETs
International stu00c3u00a1ndar package
miniBLOC with Aluminium nitride isolation
Low RDS(on) HDMOS process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low package inductance
Fast intrinsic Rectifier
Aplications
Applications
DC-DC converters
Synchonous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
IXYS Transistor
IXYS
IXFN200N07
TRANSISTOR,70V,200A
IXFN200N07
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- IXFN200N07
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