QM75DY-HB

El QM75DY-HB de Mitsubishi Electric es un módulo de potencia que contiene un par de transistores Darlington (configuración dual) diseñados para la conmutación de alta potencia.

Este módulo está diseñado para aplicaciones industriales donde la robustez y la eficiencia en el control son críticas:

Voltaje Colector-Emisor (VCEX): 600 V. Soporta tensiones de trabajo en sistemas de 220V-440V AC.

Corriente de Colector (IC): 75 A (corriente continua).

Ganancia de Corriente Continua (hFE): 750 (Típico). Esta es la principal mejora respecto al modelo H (que solo tiene 75), permitiendo que circuitos de control má

Disipación de Potencia (PC): 350 W por transistor.

Voltaje de Aislamiento (Viso): 2500 V AC (aislamiento entre los terminales y la base metálica).

Configuración: Dual (dos transistores independientes con diodos de protección integrados en un solo bloque).

QM75DY-H: Tiene una ganancia (hFE) de 75. Requiere más corriente de base para encenderse totalmente.

QM75DY-HB: Tiene una ganancia (hFE) de 750. Es 10 veces más sensible, lo que reduce el estrés térmico en la etapa de control o el driver.10

Terminales de Potencia: Utiliza tornillos M5 para las conexiones de Colector y Emisor (C1, C2E1, E2).

Terminales de Control: Utiliza terminales de lengüeta rápida (Faston/Tab #110) para las Bases (B1, B2).

Dimensiones: Base de 94 mm x 34 mm.

Protección: Incluye diodos de conmutación rápida integrados para absorber picos de voltaje en cargas inductivas (motores).

nversores de Frecuencia (VFD): En etapas de salida de motores industriales antiguos.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Para la etapa de conmutación de baterías a red.

Fuentes de Poder para Soldadura: Máquinas de soldar por arco de alta corriente.

Control de Motores de Corriente Continua: Regulación de velocidad en maquinaria pesada.