MDC200B-16

El MDC200B-16 de Siling Electronics es un módulo rectificador de potencia de doble diodo semiconductor (Dual Diode Power Module), perteneciente a la familia de dispositivos discretos encapsulados para conversión estática de energía Serie MDC (gama industrial estándar de 200 A). Su función tecnológica clave es la rectificación de corriente alterna a corriente continua, diodo de libre circulación (freewheeling) y bloqueo de retorno en puentes rectificadores monofásicos o trifásicos descontrolados o mixtos para fuentes de alimentación industrial, equipos de soldadura por arco, cargadores de baterías pesadas, electrólisis y etapas de rectificación de entrada en variadores de frecuencia.

Construido en un encapsulado rectangular aislado eléctricamente mediante suela de cobre de contacto directo y sustrato cerámico DBC (Direct Bonded Copper) con grado de protección IP00 (para integración sobre disipador térmico en gabinetes ventilados), opera en redes eléctricas de hasta 500 VAC a 600 VAC, admitiendo una tensión de pico repetitivo en sentido inverso (V_RRM) de 1600 V y una corriente media en estado de conducción (I_FAV) de 200 A (a temperatura de carcasa Tc = 85 °C). Incorpora aislamiento dieléctrico superior a 2500 VAC entre los terminales activos y la placa base metálica, alta capacidad de sobrecorriente transitoria no repetitiva (I_FSM), baja caída de tensión en conducción directa (V_FM) para optimizar la eficiencia térmica, y bornes roscados de alta resistencia mecánica tipo M6 para conexión de barras de cobre o terminales de compresión.

Specs

Fabricante: Siling Electronics (Zhejiang Siling Electronics Co., Ltd.)

Modelo / Referencia: MDC200B-16 (código de catálogo: MDC200-16 / MDC200B/1600V)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 / 39121522 (Módulos de diodos rectificadores de potencia / Semiconductor Modules)

Familia / Serie: Serie MDC (Módulos de diodos de potencia con base aislada)

Tipo de Componente: Módulo de potencia de doble diodo rectificador en serie

Tipo de Montaje: Montaje superficial atornillado sobre disipador térmico (Chassis / Heatsink Mount) mediante dos tornillos métricos M5 o M6 aplicando pasta térmica de interfaz

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales planos de potencia con insertos de tornillo roscado hembra métrico M6

Distribución de Pines / Bornes (Configuración en Serie estándar tipo Semipack):

Terminal 1 (Cátodo Diodo 1 / Salida DC+ común en puente): Borne de salida positiva rectificada (+VDC)

Terminal 2 (Ánodo Diodo 2 / Conexión DC- o polo neutro): Borne de referencia negativa o común

Terminal 3 (Punto Medio / Ánodo D1 conectado con Cátodo D2): Entrada de corriente alterna (Fase AC)

Placa Base Metálica: Base aislada eléctricamente de los electrodos activos (puede conectarse al potencial de tierra PE a través del disipador)

Desglose de la Nomenclatura

M: Módulo de potencia semiconductor (Module)

D: Tipo de semiconductor: Diodo rectificador (Diode)

C: Configuración interna de los elementos: Dos diodos conectados en serie con toma intermedia (Series connection)

200: Corriente media nominal en conducción directa en amperios: 200 A (I_FAV a Tc = 85 °C)

B: Ejecución mecánica y esquema de aislamiento del bastidor

-16: Clase de tensión asignada de pico repetitivo inverso: 16 x 100 = 1600 V (V_RRM)

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión de Pico Repetitivo Inverso (V_RRM): 1600 V

Tensión de Pico No Repetitivo Inverso (V_RSM): 1700 V

Corriente Media en Sentido Directo (I_FAV): 200 A (semiciclo sinusoidal a 180°, Tc = 85 °C)

Corriente Eficaz de Estado Directo (I_FRMS): Aprox. 314 A

Caída de Tensión Máxima en Sentido Directo (V_FM): Menor o igual a 1.35 V (a corriente de pico I_FM = 600 A, Tj = 25 °C)

Corriente de Fuga Inversa Repetitiva (I_RRM): Menor o igual a 15 mA (a V_RRM, Tj = 150 °C)

Corriente de Sobretensión Directa No Repetitiva (I_FSM): 5500 A a 6500 A (semiciclo a 50 Hz, 10 ms, Tj = 150 °C)

Valor Límite de Integración Térmica (I²t): Aprox. 150,000 A²s a 180,000 A²s (coordinación con fusibles ultrarrápidos gR/aR)

Rendimiento Térmico y Propiedades Dieléctricas

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (V_ISO): 2500 VAC eficaz (50 Hz, 1 minuto entre terminales y base metálica)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (R_thJC): Menor o igual a 0.18 °C/W por diodo individual (menor a 0.09 °C/W por módulo completo)

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (R_thCS): Aprox. 0.05 °C/W (utilizando compuesto térmico de silicona)

Tecnología de Unión: Sustrato cerámico DBC de alúmina (Al2O3) que reduce tensiones mecánicas por dilatación cíclica

Funciones Especiales / Control / Montaje

Base Aislada Eléctricamente: Permite la fijación directa de múltiples módulos sobre un mismo disipador de calor sin necesidad de láminas aislantes externas

Tolerancia a Ciclos Térmicos: Estructura multicapa soldada al vacío que minimiza la fatiga térmica y previene el desprendimiento de capas semiconductoras

Par de Apriete de Terminales de Potencia: 5.0 Nm (tornillos M6)

Par de Apriete de Fijación al Disipador: 4.0 Nm a 5.0 Nm (tornillos M5/M6)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Encapsulado de potencia industrial estándar tipo 94 mm x 34 mm

Dimensiones Físicas:

Longitud total: 94 mm

Anchura del cuerpo: 34 mm

Altura total (hasta superficie de bornes): Aprox. 30 mm

Distancia entre centros de taladros de fijación: 80 mm

Materiales:

Carcasa exterior: Polímero técnico termoplástico autoextinguible (retardante de llama grado UL 94 V-0)

Placa base: Cobre electrolítico de alta pureza niquelado para óptima transferencia térmica

Relleno interno: Gel de silicona aislante y elástica para protección del silicio contra humedad

Conexiones: Insertos roscados M6 de lató

Peso Aproximado: Aprox. 160 g a 220 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Grado de Protección: IP00 conforme a IEC 60529 (diseñado para montaje cerrado en cuadro o armario eléctrico)

Normativas y Homologaciones: IEC 60747-2 (dispositivos semiconductores discretos), marcado CE y cumplimiento con la directiva europea RoHS

Rectificadores no controlados de entrada para variadores de frecuencia (VFD) y arrancadores de potencia.

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y transformadores rectificadores de corriente continua de alta potencia.

Módulos rectificadores para máquinas de soldadura eléctrica industrial por arco (MIG/MAG y TIG).

Sistemas de carga y mantenimiento de bancos de baterías estacionarias en subestaciones y UPS.

Diodos de libre circulación (freewheeling) y frenado dinámico en circuitos de control de motores y electroimanes pesados.