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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
150A/550V/1U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Collector is Isolated from Case
With Built-in Free Wheeling Diode
High DC Current Gain : hFE = 80 (Min.)
(IC=150A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 2V (Max.) (IC=150A)
Applications
High Power Switching
Motor Control