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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
600A/1200V/1U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed : tf=0.5us(Max.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
Enhancement-mode
Outline : TOSHIBA 2-109E1A
Weight : 590g (TYP.)
Applications
High Power Awitching
Motor Control