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MG200J2YS50
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Sin impuestos
MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200J2YS50200A/600V/2U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
Includes a Complete Half Bridge in
One Package
Enhancement-Mode
High Speed :
tf=0.30us (Max.) (IC = 200A)
trr=0.15us (Max.) (IF = 200A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC =200A)
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG200J2YS50
IGBT 200A 600V DUAL
MG200J2YS50
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- MG200J2YS50
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