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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
400A/1200V/2U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
Integrates a complete half bridge power circuit and fault-signal output circuit in one package
(short circuit and over temperature)
The electrodes are isolated from case
Low thermal resistance
VCE(sat) = 2.4 V (typ.)
Applications
High Power Switching
Motor Control