CM600DX-24S1

El CM600DX-24S1 de Mitsubishi Electric es un módulo de potencia IGBT dual en configuración de medio puente (Half-Bridge Dual IGBT Module / S1-Series NX Type), diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia, inversores de frecuencia, servocontroladores de movimiento, fuentes de alimentación industriales ininterrumpidas (UPS) y conversión de energía renovable.

Diseñado para soportar una tensión colector-emisor (VCES) de 1200 V con una corriente de colector continua (IC) de 600 A (y corriente de pico repetitiva de hasta 1200 A), este módulo integra tecnología de zanja de 6.ª generación CSTBT™ junto con diodos de libre circulación antiparalelo de recuperación suave y un termistor NTC interno para monitoreo térmico. Dispone de un encapsulado tipo NX con placa base plana de cobre (Flat Base Type / non-plating), terminales de control con pines estañados para soldar en PCB, alta tensión de aislamiento de 4000 VRMS y una temperatura máxima de unión (Tjmax) de 175 °C.

Specs

Fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor

Modelo / Referencia Completa: CM600DX-24S1

Familia / Serie: Serie S1 / Bastidor NX Type

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT dual (Dual Switch / Half-Bridge IGBT Module)

Configuración Interna: 2 IGBTs + 2 diodos de libre circulación en serie (medio puente) + Termistor NTC integrado

Tipo de Encapsulado: NX Type / Flat base type (placa de cobre de base plana sin revestimiento)

Desglose de la Nomenclatura

CM: Transistor IGBT de potencia Mitsubishi Electric

600: Corriente nominal de colector de 600 A

DX: Configuración de conmutación dual (Dual Switch / Half Bridge)

24: Tensión nominal colector-emisor de 1200 V (24 x 50 V)

S1: Serie tecnológica S1 (tecnología CSTBT de 6.ª generación)

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V (con puerta-emisor en cortocircuito)

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V (con colector-emisor en cortocircuito)

Corriente Continua de Colector (IC): 600 A (a Tc = 114 °C / 120 °C)

Corriente de Colector de Pico Repetitiva (ICRM): 1200 A (pulso)

Potencia Máxima Disipada (PC a Tc = 25 °C): Aprox. 3750 W (por elemento IGBT)

Temperatura Máxima de Unión (Tjmax): +175 °C

Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tjop): -40 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Características Eléctricas (Tj = 25 °C salvo indicación)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típico 1.70 V a 1.80 V (a IC = 600 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Típico 1.95 V a 2.05 V (a IC = 600 A, VGE = 15 V, Tj = 150 °C)

Tensión de Umbral Puerta-Emisor (VGE(th)): 5.4 V a 6.6 V (a IC = 60 mA, VCE = 10 V)

Corriente de Fuga Colector-Emisor (ICES): Máximo 1.0 mA (a VCE = 1200 V, VGE = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Emisor (IGES): Máximo 0.5 µA (a VGE = +/- 20 V, VCE = 0 V)

Carga Total de Puerta (QG): Típico 4.5 µC (a VCC = 600 V, IC = 600 A, VGE = 15 V)

Tensión Directa del Diodo (VF): Típico 1.70 V a 1.80 V (a IF = 600 A, VGE = 0 V)

Termistor NTC Integrado

Resistencia a 25 °C (R25): 4.85 k? a 5.15 k? (típico 5.0 k?)

Constante B (B25/50): 3375 K

Desviación de Resistencia a 100 °C: -7.3% a +7.8% (R100 = 493 ?)

Aislamiento, Montaje y Especificaciones Mecánicas

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 4000 VAC (RMS durante 1 minuto, terminales a placa base, 60 Hz)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.040 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.065 °C/W

Tipo de Terminales de Potencia: Terminales de potencia para conexió

Par de Apriete Recomendado:

Tornillos de montaje al disipador (M5): 2.5 Nm a 3.5 Nm

Tornillos de terminales de potencia (M6): 3.5 Nm a 4.5 Nm

Masa / Peso Aproximado: Aprox. 300 g a 350 g

Normativas y Certificaciones: Reconocido bajo norma UL 1557 (File No. E323585) y cumplimiento con directiva RoHS

Variadores de frecuencia (VFD) y accionamientos de motores de CA de mediana y alta potencia.

Servocontroladores de movimiento y actuadores robóticos en automatización de fábricas.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores solares/eólicos de conexión a red.

Fuentes de alimentación para corte por plasma, calentamiento por inducción y soldadura industrial.