FF200R12KE3_B2

El módulo FF200R12KE3_B2 de Infineon es un dispositivo semiconductor de alta potencia basado en tecnología IGBT3 (Insulated Gate Bipolar Transistor). Este módulo está diseñado para aplicaciones industriales que requieren una conmutación eficiente y una alta densidad de potencia.

A diferencia de los modelos básicos, la variante _B2 suele indicar una configuración de terminales o carcasa específica (62mm) optimizada para el montaje en busbars industriales.

Voltaje Colector-Emisor (VCES): 1200 V. Ideal para sistemas con voltajes de red de hasta 480 V AC.

Corriente de Colector Continua (IC): * 200 A (medido a 6TC = 80°C).

295 A (máximo a TC = 25°C).

Corriente de Pico Repetitiva (ICRM): 400 A (por 1 ms).

Voltaje de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico de 1.70 V a 200 A (Tvj=25°C).

Disipación de Potencia Total (Ptot): 1050 W (por transistor).

El módulo integra dos transistores IGBT con sus respectivos diodos de protección en un solo paquete:

Topología: Medio puente (Half-Bridge). Contiene dos IGBTs conectados en serie, lo que permite su uso directo en inversores trifásicos o choppers.

Tecnología de Chip: TRENCHSTOP™ IGBT3, que ofrece pérdidas de conducción y conmutación reducidas en comparación con generaciones anteriores.

Diodo de Conmutación Rápida: Incluye diodos EmCon de libre circulació

Por su robustez y voltaje de 1.2 kV, es el estándar para:

Inversores para Motores (VFD): Control de velocidad en motores industriales pesados.

Energías Renovables: Convertidores centrales para energía solar y eólica.

Sistemas de Alimentación (UPS): Equipos de respaldo de alta disponibilidad.

Calentamiento por Inducción: Aplicaciones de soldadura y fundición industrial.