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SKM100GB125DN

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MODULOS IGBT

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DatasheetSKM100GB125DN

100A/1200V/2U

SEMIKRON

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Features

El SKM100GB125DN es un módulo de potencia dual IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en configuración de medio puente (Half-Bridge) fabricado por Semikron (Semikron Danfoss). Pertenece a la reconocida familia de encapsulados SEMITRANS 2 y utiliza tecnología NPT-IGBT (Non-Punch-Through) de alta velocidad con diodos antiparalelo CAL (Controlled Axial Lifetime) integrados.

Este módulo está optimizado para conmutación de potencia en inversores CA, variadores de frecuencia de motores, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y máquinas de soldadura industrial, destacando por su robustez ante cortocircuitos y baja interferencia electromagnética.

Specs

Marca / Fabricante: Semikron (Semikron Danfoss)

Familia / Encapsulado: SEMITRANS 2

Modelo / Referencia: SKM100GB125DN (SKM 100 GB 125 DN)

Configuración Interna: Medio puente / Dual (2 IGBTs en serie con diodos freewheeling CAL)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Corriente Continua de Colector (IC): 100 A (a Tc = 25 °C) / 75 A (a Tc = 80 °C)

Corriente de Pico de Colector (ICM): 200 A (1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCEsat): Aprox. 2.5 V (a IC = 75 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Tensión Colector-Puerta (VGES): ±20 V

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): 0.28 K/W (por IGBT)

Tensión de Aislamiento (Visol): 2500 VAC (1 min) / Placa base aislada de cobre

Rango de Temperatura de Operación: -40 °C a +150 °C (Tj)

Physical/Mechanical

Carcasa / Encapsulado: Material termoplástico de alta resistencia e ignífugo (UL 94 V-0)

Terminales de Potencia: Busbars de cobre con roscas internas M5

Terminales de Control (Gate/Aux): Contactos auxiliares de inserción / soldadura de perfil bajo

Dimensiones del Cuerpo: 93 mm × 34 mm × 30 mm (distancia entre orificios de montaje: 80 mm)

Fijación a Disipador: 2 orificios para tornillos M5

Par de Apriete Recomendado: 2.5 Nm a 5.0 Nm (Terminales M5) / 3.0 Nm a 5.0 Nm (Montaje en disipador)

Peso Aprox.: ~0.16 kg (160 g)

Pin-Out & Terminal Layout

Disposición de terminales en el encapsulado SEMITRANS 2:

Terminal 1: Colector Superior (DC+ / Polo Positivo del Bus DC)

Terminal 2: Punto Medio / Salida AC (Emisor del IGBT Superior / Colector del IGBT Inferior)

Terminal 3: Emisor Inferior (DC- / Polo Negativo del Bus DC)

Terminales 4 y 5: Puerta (G1) y Emisor Auxiliar (E1) para el IGBT Superior

Terminales 6 y 7: Puerta (G2) y Emisor Auxiliar (E2) para el IGBT Inferior

Aplications

Inversores de corriente continua a alterna (DC/AC) para variadores de velocidad de motores AC.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS / SAI) de alta capacidad.

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y rectificadores industriales.

Equipos de soldadura por arco e inversores fotovoltaicos/energías renovables.

Controladores de frenado dinámico y troceadores (choppers) de potencia.

Semikron IGBTs

Semikron

SKM100GB125DN

IGBT 100A 1200V DUAL ; Type; Dual

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 80 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 0.45 MilliAmps

Vge(th) Min/Max; 4.5~6.5 Volts

Vce(sat) Max; 3.85 Volts

Height (mm); 30.5

Width (mm); 94.5

Depth (mm); 34.5

RoHS; Yes ;

SEMIKRON
SKM100GB125DN

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
SKM100GB125DN
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