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MODULOS IGBT
Última actualización
100A/1200V/2U
SEMIKRON
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El SKM100GB125DN es un módulo de potencia dual IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en configuración de medio puente (Half-Bridge) fabricado por Semikron (Semikron Danfoss). Pertenece a la reconocida familia de encapsulados SEMITRANS 2 y utiliza tecnología NPT-IGBT (Non-Punch-Through) de alta velocidad con diodos antiparalelo CAL (Controlled Axial Lifetime) integrados.
Este módulo está optimizado para conmutación de potencia en inversores CA, variadores de frecuencia de motores, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y máquinas de soldadura industrial, destacando por su robustez ante cortocircuitos y baja interferencia electromagnética.
Specs
Marca / Fabricante: Semikron (Semikron Danfoss)
Familia / Encapsulado: SEMITRANS 2
Modelo / Referencia: SKM100GB125DN (SKM 100 GB 125 DN)
Configuración Interna: Medio puente / Dual (2 IGBTs en serie con diodos freewheeling CAL)
Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V
Corriente Continua de Colector (IC): 100 A (a Tc = 25 °C) / 75 A (a Tc = 80 °C)
Corriente de Pico de Colector (ICM): 200 A (1 ms)
Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCEsat): Aprox. 2.5 V (a IC = 75 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)
Tensión Colector-Puerta (VGES): ±20 V
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): 0.28 K/W (por IGBT)
Tensión de Aislamiento (Visol): 2500 VAC (1 min) / Placa base aislada de cobre
Rango de Temperatura de Operación: -40 °C a +150 °C (Tj)
Physical/Mechanical
Carcasa / Encapsulado: Material termoplástico de alta resistencia e ignífugo (UL 94 V-0)
Terminales de Potencia: Busbars de cobre con roscas internas M5
Terminales de Control (Gate/Aux): Contactos auxiliares de inserción / soldadura de perfil bajo
Dimensiones del Cuerpo: 93 mm × 34 mm × 30 mm (distancia entre orificios de montaje: 80 mm)
Fijación a Disipador: 2 orificios para tornillos M5
Par de Apriete Recomendado: 2.5 Nm a 5.0 Nm (Terminales M5) / 3.0 Nm a 5.0 Nm (Montaje en disipador)
Peso Aprox.: ~0.16 kg (160 g)
Pin-Out & Terminal Layout
Disposición de terminales en el encapsulado SEMITRANS 2:
Terminal 1: Colector Superior (DC+ / Polo Positivo del Bus DC)
Terminal 2: Punto Medio / Salida AC (Emisor del IGBT Superior / Colector del IGBT Inferior)
Terminal 3: Emisor Inferior (DC- / Polo Negativo del Bus DC)
Terminales 4 y 5: Puerta (G1) y Emisor Auxiliar (E1) para el IGBT Superior
Terminales 6 y 7: Puerta (G2) y Emisor Auxiliar (E2) para el IGBT Inferior
Inversores de corriente continua a alterna (DC/AC) para variadores de velocidad de motores AC.
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS / SAI) de alta capacidad.
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y rectificadores industriales.
Equipos de soldadura por arco e inversores fotovoltaicos/energías renovables.
Controladores de frenado dinámico y troceadores (choppers) de potencia.
Semikron
SKM100GB125DN
IGBT 100A 1200V DUAL ; Type; Dual
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 80 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 0.45 MilliAmps
Vge(th) Min/Max; 4.5~6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3.85 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 94.5
Depth (mm); 34.5
RoHS; Yes ;