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SKM50GAL123D
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SKM50GAL123D
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Política de entrega
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Features
IGBT MODULE
MOS input (voltage controlled)
N channel, homogeneous Si
Low inductance case
Very low tail current with low temperature dependence
High short circuit capability, self limiting to 6 Icnom
Latch-up free
Fast & soft inverse CAL diodes
Isolated copper baseplate using DCB Direct Copper Bonding Technology
Large clearance ( 10 mm ) and creepage distances ( 20 mm )
Aplications
Applications
Three phase inverter drives
Switching ( not for linear use )
Semikron IGBTs, SKM50 Series
Semikron
SKM50GAL123D
IGBT 50A 1200V LOW CHOPPER ; Type; Single
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 40 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 0.3 MilliAmps
Vge(th) Min/Max; 4.5~6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 94
Depth (mm); 34
RoHS; Yes ;
SKM50GAL123D
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- SKM50GAL123D
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