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SKT80/12E

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetSKT80/12E

220A/1200V/2U

No identificado

Cantidad
Agotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • IGBT MODULE
  • MOS input (voltage controlled)
  • N channel, Homogeneous Si
  • Low inductance case
  • Very low tail current with low temperature
  • dependence
  • High short circuit capability, self limiting to
  • 6 Icnom
  • Latch-up free
  • Fast & soft inverse CAL diodes
  • Isolated copper baseplate using DCB Direct
  • Copper Bonding Technology
  • Large clearance ( 12 mm ) and creepage
  • distances ( 20 mm )

Aplications

  • Applications
  • Switching, not for linear use
  • AC-inverter drive

Semikron IGBT

Semikron

SKM300GB123D

IGBT 300A 1200V DUAL

SKT80/12E

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
SKT80/12E
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