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2SJ668
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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Última actualización
2SJ6685A/60V/1U
No Identificado
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Envíos y devoluciones
Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación
Trademark Disclaimer
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Features
Silicon P-Channel MOS
4 V gate drive
Low drain-source ON-resistance : RDS (ON)= 0.12 Ohms (typ.)
High forward transfer admittance : Yfs = 5.0 S (typ.)
Low leakage current : IDSS = -100uA(max)(VDS =-60 V)
Enhancement mode : Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -1mA)
Aplications
Applications
Relay Drive
DC/DC Converter
Motor Drive
2SJ668
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SJ668
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