- Sobre pedido
2SJ412
$5.25
Sin impuestos
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Última actualización
2SJ41216A/100V/1U
No Identificado
Delivery time :
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Envíos y devoluciones
Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación
Trademark Disclaimer
Todas las marcas, logotipos y números de parte son propiedad de sus dueños click para más info.
Features
Silicon P Channel MOS Type
4-V gate drive
Low drain-source ON resistance: RDS(ON)=0.15 Ohms (typ.)
High forward transfer admittance : Yfs =7.7 S (typ.)
Low leakage current : IDSS=-100 uA (max) (VDS=100V)
Enhancement mode : Vth= -8 to -2.0 V (VDS= -10 V, ID= -1 mA)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SJ412
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SJ412
Comentarios (0)
No hay opiniones de clientes por el momento.
16 otros productos de la misma categoría:
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Última actualización
16A/100V/1U
No Identificado
Delivery time :