2SK2608

El 2SK2608 (o K2608) de Toshiba es un transistor MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento (N-Channel MOS Field Effect Transistor / Power MOSFET), fabricado con tecnología de silicio planar de alta tensión, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), convertidores DC-DC y controladores de relés o motores.

Diseñado para soportar una tensión máxima drenador-fuente (VDSS) de 900 V y una corriente continua de drenador (ID) de 3 A (con picos pulsados de hasta 9 A), este dispositivo ofrece una baja resistencia en estado de conducción (RDS(ON) típica de 3.73 Ohmios), alta admitancia de transferencia directa (|Yfs| de 2.6 S) y bajas corrientes de fuga. Se presenta comúnmente en un encapsulado aislado TO-220SIS (plástico moldeado totalmente aislado), lo que facilita el montaje directo en disipadores térmicos sin necesidad de láminas aislantes adicionales.

Specs

Fabricante: Toshiba Semiconductor (Japón)

Modelo / Referencia Completa: 2SK2608 (K2608)

Tipo de Transistor: MOSFET de potencia de canal N en modo de enriquecimiento (N-Channel Enhancement Mode)

Tipo de Encapsulado: TO-220SIS (completamente aislado / Through-Hole)

Desglose de la Nomenclatura

2S: Código estándar japonés (JIS) para dispositivos semiconductores de efecto de campo / transistores de 3 terminales

K: Canal N de efecto de campo (MOSFET)

2608: Número de registro de diseño y características eléctricas de Toshiba

Valores Máximos Absolutos (Ta = 25 °C)

Tensión Drenador-Fuente (VDSS): 900 V

Tensión Drenador-Puerta (VDGR, RGS = 20 kOhmios): 900 V

Tensión Puerta-Fuente (VGSS): +/- 30 V

Corriente Continua de Drenador (ID): 3 A

Corriente de Drenador de Pico / Pulsada (IDP): 9 A (tp = 1 ms)

Disipación de Potencia en Colector/Drenador (PD, Tc = 25 °C): 40 W

Energía de Avalancha en Pulso Único (EAS): Aprox. 248 mJ a 260 mJ

Corriente de Avalancha (IAR): 3 A

Características Eléctricas Estáticas (Ta = 25 °C)

Tensión de Ruptura Drenador-Fuente (V(BR)DSS): Mín. 900 V (ID = 10 mA, VGS = 0 V)

Resistencia en Estado Conductor (RDS(ON)):

Típico: 3.73 Ohmios

Máximo: 4.30 Ohmios (VGS = 10 V, ID = 1.5 A)

Tensión de Umbral de Puerta (Vth): 2.0 V a 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Corriente de Corte de Drenador (IDSS): Máx. 100 uA (VDS = 720 V, VGS = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Fuente (IGSS): Máx. +/- 100 nA (VGS = +/- 30 V, VDS = 0 V)

Admitancia de Transferencia Directa (|Yfs|): Típico 2.6 S a 2.68 S (VDS = 15 V, ID = 1.5 A)

Características Dinámicas y Conmutación

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 700 pF a 800 pF (VDS = 25 V, f = 1 MHz)

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 70 pF a 85 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss): Aprox. 30 pF a 40 pF

Tiempo de Subida (tr): Aprox. 25 ns a 30 ns

Tiempo de Apagado / Caída (tf): Aprox. 35 ns a 45 ns

Carga Total de Puerta (Qg): Aprox. 25 nC a 35 nC

Diodo Drenador-Fuente Integrado

Corriente Directa Continua Inversa (IS): 3 A

Corriente Directa Pulsada (ISP): 9 A

Tensión Directa del Diodo (VDSF): Máx. -1.7 V (IS = 3 A, VGS = 0 V)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 1000 ns

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Encapsulado: TO-220SIS (Plástico aislado / 3 pines pasantes)

Disposición de Pines:

Pin 1: Puerta (Gate - G)

Pin 2: Drenador (Drain - D)

Pin 3: Fuente (Source - S)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): 3.125 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rth(j-a)): 62.5 °C/W

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -55 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Peso Aproximado: Aprox. 1.7 g a 2.0 g

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) flyback y forward de alta tensión.

Convertidores DC-DC industriales e inversores de baja potencia.

Etapas de conmutación primaria en adaptadores y cargadores de baterías.

Circuitos de excitación de relés, solenoides y lámparas industriales.