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2SK3385
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Features
N-CHANNEL POWER MOS FET
Low On-state Resistance
RDS(on)1 = 28mOhms MAX. (VGS = 110 V, Io = 15 A)
RDS(on)2 = 45 mOhms, Io = 15 A)
Low Ciss : Ciss = 1500 pF TYP:
Built-in Gate Protection Diode
TO-251/TO-252 package
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
2SK3385
Referencias Específicas
- Nº Pieza fabricante (NPM)
- 2SK3385
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