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DP10F1200102400

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IGBT - PIM

Última actualización

DatasheetDP10F1200102400

11.4A/200V/1U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

N-Channel MOSFET

RDS(ON) (Max 0.18 Ohms)@Vgs = 10 V

Gate Charge (Typical 45nC)

Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

100 % Avalanche tested

Maximun Juntion Temperature range (150C)

Aplications

Semiconductors High Power Equipment Repair

DP10F1200102400

Referências específicas

MPN
DP10F1200102400
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