AT636X16X

El AT636X16X (código de fabricante AT636 / clase de tensión 16) de Poseico S.p.A. (anteriormente Ansaldo Trasporti / Semiconductors Division) es un tiristor de control de fase de alta potencia para semiconductores (Phase Control Thyristor - PCT / Disc Type SCR), perteneciente a la serie industrial de potencia en formato de disco AT636 Series, diseñado para la rectificación controlada de corriente alterna a continua, regulación de potencia por ángulo de fase, conmutación estática de cargas pesadas y control dinámico en convertidores para tracción ferroviaria, arrancadores suaves de media tensión, puentes rectificadores de electrólisis/galvanoplastia y sistemas de compensación de potencia reactiva (SVC / FACTS).

Construido en una cápsula hermética de disco cerámico biconvexo plano tipo Press-Pack (Hockey Puk) con sellado cerámico-metal de alta rigidez mecánica y dieléctrica con grado de protección IP00, está concebido para refrigeración por doble cara (double-side cooling) mediante fijación por prensa mecánica entre disipadores térmicos bajo fuerza controlada. Opera con una tensión asignada de pico repetitiva en estado de bloqueo directo e inverso (VDRM / VRRM) de 1,600 V (1.6 kV) y soporta una corriente media en conducción (IT(AV)) en el rango de 600 A a 700 A (con corrientes eficaces ITRMS superiores a 1,000 A y corrientes de sobretensión no repetitivas ITSM de varios kiloamperios), integrando una estructura de compuerta amplificadora central para soportar elevados gradientes de subida de corriente (di/dt) y tensión (dv/dt).

Specs

Fabricante: Poseico S.p.A. (Power Semiconductors Division / ex Ansaldo)

Modelo / Referencia: AT636X16X (AT636-16 / AT636 1600V)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 / 32111706 (Tiristores de potencia / Phase Control Thyristors)

Familia / Serie: Serie AT636 (Capsule / Hockey Puk Phase Control Thyristors)

Tipo de Componente: Tiristor de potencia para control de fase (SCR tipo disco / Hockey Puk)

Tipo de Montaje: Montaje por compresión mecánica con prensa calibrada entre dos disipadores térmicos (refrigeración forzada por aire o agua por doble cara)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Superficies frontales planas de contacto de cobre para ánodo y cátodo; terminales auxiliares de lengüeta/cable para compuerta (Gate) y cátodo auxiliar (Auxiliary Cathode)

Distribución de Pines / Bornes:

Superficie Plana Inferior: Electrodo principal de Ánodo (A)

Superficie Plana Superior: Electrodo principal de Cátodo (K)

Terminal Auxiliar Blanco / Rojo: Puerta de disparo / Compuerta (Gate - G)

Terminal Auxiliar Rojo / Negro: Cátodo auxiliar de referencia para circuito de disparo (Auxiliary Cathode - K_aux)

Desglose de la Nomenclatura

AT: Prefijo de tiristores de potencia de Poseico / Ansaldo (Ansaldo Thyristor)

636: Código de tamaño de pastilla de silicio y bastidor de disco (geometría de cápsula y corriente nominal base)

X: Variante de diseño interno / proceso de difusión de compuerta

16: Código de tensión asignada de bloqueo multiplicador x100 (16 x 100 V = 1,600 V)

X: Clasificación de parámetros dinámicos de dv/dt, tq o acabado de terminales auxiliares

Especificaciones de Entrada y Bloqueo (Estado Off / Reverse)

Tensión de Pico Repetitiva en Estado Desconectado (VDRM): 1,600 V (a Tj = 125 °C)

Tensión de Pico Inversa Repetitiva (VRRM): 1,600 V (a Tj = 125 °C)

Tensión de Pico Inversa No Repetitiva (VRSM): 1,700 V

Corriente de Fuga de Pico Repetitiva (IDRM / IRRM): Menor o igual a 50 mA a 70 mA (a VDRM/VRRM y Tj = 125 °C)

Gradiente Crítico de Subida de Tensión (dv/dt): Mínimo 1,000 V/µs (a 67% de VDRM y Tj máxima)

Especificaciones Eléctricas de Operación y Conducción (Estado On)

Corriente Media en Estado de Conducción (IT(AV)): Aprox. 630 A a 670 A (a Tc = 55 °C / 85 °C en conducción senoidal de 180°)

Corriente Eficaz en Estado de Conducción (IT(RMS)): Aprox. 1,000 A a 1,100 A

Corriente de Sobretensión No Repetitiva (ITSM): Aprox. 8.5 kA a 10.0 kA (a Tj = 125 °C, onda senoidal de 10 ms)

Integral de Fusión / Capacidad Térmica de Defecto (I²t): Aprox. 360,000 A²s a 500,000 A²s (para t = 10 ms)

Tensión en Conducción de Pico (VTM): Menor o igual a 1.65 V a 1.85 V (a corriente de pico definida)

Gradiente Crítico de Subida de Corriente (di/dt): Hasta 200 A/µs (no repetitivo)

Especificaciones de Disparo y Control (Compuerta / Gate)

Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): Menor o igual a 2.5 V a 3.0 V (a Tj = 25 °C)

Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): Aprox. 150 mA a 300 mA (a Tj = 25 °C, Vd = 12 V)

Tensión de No Disparo de Compuerta (VGD): Mínimo 0.25 V (a Tj = 125 °C y VDRM nominal)

Potencia de Pico de Compuerta (PGM): Hasta 10 W (ancho de pulso corto)

Potencia Media de Compuerta (PG(AV)): 2.0 W

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tamaño de Bastidor / Formato: Cápsula cerámica plana de compresión tipo disco (Hockey Puk / Press-Pack)

Diámetro Exterior de la Cerámica: Aprox. 41.0 mm a 48.0 mm

Diámetro de las Superficies de Contacto: Aprox. 25.0 mm a 30.0 mm

Espesor / Altura de la Cápsula: Aprox. 14.0 mm a 15.0 mm

Materiales: Envolvente cerámica aluminosa de alta densidad con bridas y placas de contacto de cobre de alta pureza desoxigenado

Fuerza de Apriete Mecánica Requerida: 9.0 kN a 12.0 kN (aprox. 900 kgf a 1,200 kgf aplicada con abrazadera calibrada)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.040 °C/W a 0.055 °C/W (refrigeración doble cara)

Peso Aproximado: Aprox. 100 g a 160 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +125 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C

Humedad Relativa: Apto para servicio en celdas cerradas bajo convección de aire seco o refrigeración líquida

Grado de Protección: IP00 (requiere envolvente y montaje dentro de armario o puente rectificador)

Puentes rectificadores tiristorizados controlados de 6 y 12 pulsos en tracción eléctrica y subestaciones ferroviarias.

Arrancadores suaves de media tensión (Medium Voltage Soft Starters) para grandes motores síncronos y de inducción.

Rectificadores de alta corriente para plantas de electrólisis, galvanoplastia y hornos de arco.

Conmutadores estáticos de transferencia (STS) y bancos de compensación reactiva rápida (TCR / TSC) en redes de distribución.

Fuentes de alimentación de gran potencia para calentamiento industrial por inducción y magnetizadores.