FMMT549

El FMMT549 (originalmente desarrollado por Zetex / Diodes Inc., y suministrado/equivalente en catálogos de semiconductores como onsemi / Fairchild) es un transistor de unión bipolar (BJT) de potencia media en silicio epitaxial planar de polaridad PNP, encapsulado en formato de montaje superficial miniatura SOT-23 (TO-236AB), diseñado para conmutación rápida de alta corriente, etapas de excitación de relés, controladores de puertas lógicas (gate drivers) en MOSFETs, circuitos de gestión de potencia y etapas de salida de audio lineal.

Destaca por su tecnología de baja tensión de saturación colector-emisor (Low VCE(sat)) y una capacidad de corriente continua de colector de hasta -1 A (y pulsada de hasta -2 A) a una tensión de ruptura colector-emisor de -30 V. Su diseño térmico optimizado en encapsulado compacto permite una disipación de potencia de hasta 500 mW, manteniendo una alta ganancia de corriente continua (hFE) lineal en un amplio rango dinámico de carga.

Specs

Fabricante: onsemi / Diodes Incorporated (Zetex)

Modelo / Referencia: FMMT549 (FMMT549TA / FMMT549TC)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 / 32111603 (Transistores bipolares / Bipolar Transistors)

Familia / Serie: Bipolar Transistors - Low VCE(sat) Series

Tipo de Componente: Transistor bipolar de unión (BJT) PNP de potencia media

Tipo de Montaje: Montaje superficial (SMD / SMT)

Asignación de Interfaces y Pinout (SOT-23)

Encapsulado: SOT-23-3 (TO-236AB)

Marcado de Superficie (Top Mark): 549

Distribución de Pines:

Pin 1: Base (B)

Pin 2: Emisor (E)

Pin 3: Colector (C)

Desglose de la Nomenclatura

FMMT: Familia de transistores bipolares de montaje superficial en encapsulado SOT-23

549: Número de referencia de diseño eléctrico (PNP, 30 V, 1 A, Low Saturation)

TA / TC (Sufijos de empaque): Formato de suministro en cinta y carrete (Tape & Reel)

Valores Máximos Absolutos (Absolute Maximum Ratings a 25 °C)

Tensión Colector-Base (VCBO): -35 V

Tensión Colector-Emisor (VCEO): -30 V

Tensión Emisor-Base (VEBO): -5 V

Corriente Continua de Colector (IC): -1.0 A

Corriente Pulsada de Colector (ICM): -2.0 A

Corriente Continua de Base (IB): -200 mA

Disipación de Potencia Total (PD): 500 mW (en PCB estándar FR-4)

Resistencia Térmica Unión a Ambiente (R?JA): Aprox. 250 °C/W

Características Eléctricas y de Conmutación (a 25 °C)

Ganancia de Corriente Continua (hFE / DC Current Gain):

Mínimo 100 (a VCE = -2 V, IC = -50 mA)

Mínimo 100 / Típico 200 a 300 (a VCE = -2 V, IC = -500 mA)

Mínimo 50 (a VCE = -2 V, IC = -1 A)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Máximo -0.25 V (a IC = -500 mA, IB = -50 mA)

Máximo -0.50 V (a IC = -1 A, IB = -100 mA)

Tensión de Saturación Base-Emisor (VBE(sat)): Máximo -1.1 V (a IC = -1 A, IB = -100 mA)

Tensión Base-Emisor en Conducción (VBE(on)): Máximo -1.0 V (a VCE = -2 V, IC = -1 A)

Corriente de Corte de Colector (ICBO): Máximo -100 nA (a VCB = -30 V)

Frecuencia de Transición (fT): Mínimo 100 MHz (a VCE = -5 V, IC = -50 mA, f = 50 MHz)

Capacitancia de Salida (Cobo): Típico 15 pF (a VCB = -10 V, f = 1 MHz)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Tipo de Encapsulado: Plástico moldeado SOT-23

Dimensiones del Cuerpo: Aprox. 2.9 mm (largo) x 1.3 mm (ancho) x 1.0 mm (alto)

Distancia entre Terminales: 1.9 mm entre pines 1 y 2

Peso Aproximado: Aprox. 0.008 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación y Unión (Tj): -55 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): Nivel 1 (según J-STD-020)

Normativas y Cumplimiento: Libre de plomo y halógenos, marcado CE, directiva RoHS

Excitación y disparo de bobinas de relé

Conmutación de alimentación en el lado alto (High-side switch) en circuitos de 12 V a 24 V.

Etapas de amortiguación y accionamiento de compuertas (Gate Drivers) en transistores MOSFET.