MTW20P10

El MTW20P10 de Motorola (ahora parte de la línea histórica de ON Semiconductor) es un MOSFET de potencia de canal P (P-Channel) diseñado con tecnología TMOS. Es un dispositivo robusto, ideal para aplicaciones que requieren una conmutación de alta velocidad y alta eficiencia en el lado positivo de la carga (High-Side Switching).

Voltaje Drenaje-Fuente VDSS: -100 V, Voltaje máximo que soporta el transistor.

Corriente de Drenaje Cont. ID: -20 A,Capacidad nominal a Tc?=25°C.

Resistencia en Encendido RDS(on): 0.15 ?, Resistencia interna máxima cuando está activo.

Voltaje Compuerta-Fuente VGSS: ± 20 V, Límite de voltaje de control.

Disipación de Potencia PD: 180 W, Capacidad de disipar calor con disipador adecuado.

Tipo: TO-247 (anteriormente conocido como Case 340L-02).

Ventajas: Este encapsulado es más grande que el común TO-220, lo que le permite una mejor transferencia de calor hacia el disipador y terminales más gruesos para manejar los 20 Amperios de forma segura.

Aislamiento: La parte posterior suele ser de cobre metálico conectado al Drenaje (Drain), por lo que requiere un aislante (mica o silpad) si el disipador está conectado a tierra.

Puentes en H (H-Bridges): Utilizado como el transistor de la parte superior para el control de dirección en motores DC.

Interruptores de Carga (High-Side Switches): Para activar solenoides, lámparas o motores sin necesidad de circuitos elevadores de voltaje de compuerta (bootstrap).

Convertidores DC-DC: En etapas de potencia de inversores.

Amplificadores de Audio: En etapas de salida cuasi-complementarias.