SKM50GB12V

El SKM50GB12V de Semikron (Semikron Danfoss, serie SEMITRANS 2) es un módulo de potencia IGBT de medio puente dual (Half-Bridge Dual IGBT Power Module), diseñado para la conmutación eficiente y control de potencia en variadores de frecuencia de motores de corriente alterna, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores solares y equipos de soldadura electrónica.

Fabricado en una carcasa estándar SEMITRANS 2 con placa base de cobre aislada mediante tecnología DBC (Direct Bonded Copper) para alta capacidad de ciclado térmico, integra internamente dos transistores IGBT con tecnología Trench V-IGBT de 6.ª generación en combinación con diodos de libre circulación CAL4 (Controlled Axial Lifetime) de conmutación suave. Opera con una tensión máxima colector-emisor de 1200 V (VCES) y una corriente nominal de colector de 50 A (IC), disponiendo de resistencia de puerta integrada (integrated gate resistor), terminales principales de potencia con fijación por tornillo métrico M5 y terminales de señal de tipo espada Faston, garantizando mínimas pérdidas por conmutación y baja tensión de saturación colector-emisor.

Specs

Fabricante: Semikron (Semikron Danfoss)

Modelo / Referencia: SKM50GB12V (Código de parte: 22892003)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111705 / Módulos IGBT y semiconductores de potencia / IGBT Power Modules)

Familia / Serie: Serie SEMITRANS 2 / V-IGBT

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT de 2 ramas / medio puente (Half-Bridge Dual IGBT Module)

Tipo de Montaje: Fijación mediante tornillos sobre disipador térmico (orificios de montaje en esquinas)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Terminales Principales de Potencia (Tornillos M5):

Terminal 1: Colector del IGBT superior (rama alta / High-side Collector)

Terminal 2: Emisor del IGBT inferior (rama baja / Low-side Emitter)

Terminal 3: Salida de fase / Punto medio del puente (Emisor del IGBT 1 conectado al Colector del IGBT 2)

Terminales 4 y 5: Puerta (Gate) y Emisor auxiliar del IGBT superior

Terminales 6 y 7: Puerta (Gate) y Emisor auxiliar del IGBT inferior

Desglose de la Nomenclatura

SKM: Módulo IGBT de la familia SEMITRANS de Semikron

50: Corriente nominal de colector continua asignada: 50 A

GB: Configuración de circuito interno en medio puente (Half-Bridge / 2 switches)

12: Código de tensión nominal colector-emisor: 1200 V (12 x 100 V = 1200 V)

V: Tecnología de chip V-IGBT (Trench de 6.ª generación con diodo CAL4)

Especificaciones Eléctricas de Operación

Configuración del Circuito: Medio puente (2 IGBT con 2 diodos CAL4 antiparalelo)

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor Máxima (VGES): ±20 V

Corriente Nominal de Colector (ICnom): 50 A

Corriente Continua de Colector (IC a Tc = 80 °C): Aprox. 59 A a 79 A

Corriente de Pico Pulsada de Colector (ICRM): 150 A

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 2.18 V (a IC = 50 A, Tj = 150 °C)

Resistencia de Puerta Integrada (RGint): Aprox. 4.0 ?

Tiempo de Resistencia a Cortocircuito (tpsc): 10 µs (a VGE ? 15 V, Tj = 125 °C)

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 2,500 VAC / 4,000 VAC (1 minuto, terminales a base metálica)

Rendimiento de Conmutación y Térmico

Tecnología de Diodo: CAL4 (Controlled Axial Lifetime de recuperación suave)

Energía Total de Conmutación (Eon + Eoff): Típico 9.5 mJ (a IC = 50 A, VCC = 600 V, Tj = 150 °C)

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): Aprox. 0.58 K/W (por IGBT)

Temperatura Máxima de Unión (Tj max): +175 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Carcasa estándar SEMITRANS 2

Tecnología de Placa Base: Cobre aislado mediante sustrato cerámico DBC (Direct Bonded Copper)

Dimensiones Físicas: 94 mm (longitud) x 34 mm (ancho) x 30 mm (altura)

Distancia entre Centros de Montaje: 80 mm (taladros pasantes para tornillos M6)

Par de Apriete al Disipador: 3.0 N·m a 5.0 N·m

Par de Apriete en Bornes M5: 2.5 N·m a 5.0 N·m

Peso Aproximado: Aprox. 160 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación (Tj): -40 °C a +175 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Normativas y Homologaciones: Homologación UL Recognized (archivo E63532), marcado CE, directiva RoHS

Variadores de frecuencia e inversores de control de motores de CA (AC Inverter Drives).

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores de respaldo.

Máquinas de soldadura electrónica por arco e inductivas.

Inversores fotovoltaicos y etapas de conversión en energías renovables.

Choppers y convertidores de conmutación suave o dura en automatización industrial.