MMBFJ112

El MMBFJ112 de onsemi (originalmente Fairchild Semiconductor) es un transistor de efecto de campo de unión de canal N en modo de agotamiento (N-Channel Depletion Mode JFET), diseñado para aplicaciones de conmutación analógica de alta velocidad, circuitos de muestreo y retención (sample-and-hold), multiplexores analógicos, etapas de audio de bajo ruido y conmutación general de señales débiles.

Diseñado en encapsulado para montaje superficial estándar SOT-23-3 (marcado comúnmente con el código 62S o M112), este JFET soporta una tensión de ruptura drenaje-compuerta de 35 V con una disipación de potencia de 350 mW. Destaca por su resistencia en conducción relativamente baja (RDS(on) máxima de 50 ?), muy baja corriente de fuga de compuerta en estado inverso (máximo 1.0 nA a 25 °C), capacitancias parásitas reducidas y una rápida respuesta de conmutación para enrutar o bloquear señales analógicas sin distorsión.

Specs

Fabricante: onsemi (ON Semiconductor / Fairchild)

Modelo / Referencia: MMBFJ112

Código de Marcado SMD (Marking Code): 62S

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111612 / Transistores JFET de efecto de campo)

Familia / Serie: Serie J111 / J112 / J113 (Surface Mount JFETs)

Tipo de Componente: Transistor JFET de canal N (N-Channel JFET)

Tipo de Montaje: Montaje superficial (SMD / SMT) en encapsulado SOT-23 (TO-236AB)

Desglose de la Nomenclatura

MMBF: Versión de montaje superficial (SOT-23) de transistores de señal estándar de Fairchild/onsemi

J: Transistor de efecto de campo de unión (JFET)

112: Clasificación de rango de tensión de corte de compuerta VGS(off) (-1.0 V a -5.0 V) y resistencia RDS(on)

Especificaciones Eléctricas de Operación (Valores Máximos Absolutos)

Tensión Drenaje-Compuerta (VDG): 35 V

Tensión Compuerta-Fuente (VGS): -35 V

Corriente de Compuerta en Directa (IGF): 50 mA

Disipación Total de Potencia (PD): 350 mW (a Ta = 25 °C)

Factor de Reducción Térmica (Derating): 2.8 mW/°C (por encima de 25 °C)

Características Eléctricas y de Conmutación

Tensión de Ruptura Compuerta-Fuente (V(BR)GSS): Mínimo -35 V (a IG = -1.0 µA, VDS = 0)

Tensión de Corte Compuerta-Fuente (VGS(off)): -1.0 V a -5.0 V (a VDS = 15 V, ID = 1.0 µA)

Corriente de Drenaje a VGS=0 (IDSS): Mínimo 5.0 mA (a VDS = 15 V, VGS = 0)

Resistencia Drenaje-Fuente en Conducción (RDS(on)): Máximo 50 ? (a VGS = 0, ID = 1.0 mA, f = 1 kHz)

Corriente Inversa de Fuga de Compuerta (IGSS): Máximo -1.0 nA (a VGS = -15 V, VDS = 0, Ta = 25 °C)

Capacitancia de Entrada (Ciss): Máximo 28 pF (a VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1 MHz)

Capacitancia Inversa de Transferencia (Crss): Máximo 5.0 pF (a VDS = 0, VGS = -10 V, f = 1 MHz)

Tiempo de Conmutación:

Tiempo de encendido (t_on): Aprox. 4 ns

Tiempo de apagado (t_off): Aprox. 25 ns

Asignación de Pines y Encapsulado

Tipo de Encapsulado: SOT-23-3 (TO-236-3 / SuperSOT-23)

Disposición de Pines:

Pin 1: Drenador / Drain (D)

Pin 2: Fuente / Source (S)

Pin 3: Compuerta / Gate (G)

Construcción Mecánica y Térmica

Dimensiones del Encapsulado: Aprox. 2.9 mm (largo) x 1.3 mm (ancho cuerpo) x 1.0 mm (alto)

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -55 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -55 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rth(j-a)): Aprox. 357 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 0.008 g

Condiciones Ambientales y Normativas

Conformidad Ambiental: Cumplimiento con directiva RoHS, libre de plomo y halógenos

Calificación: Grado industrial / comercial estándar JEDEC

Interruptores analógicos de señal bidireccional y multiplexores de instrumentación.

Circuitos muestreadores y de retención (Sample-and-Hold) de respuesta rápida.

Circuitos de silenciamiento de audio (Audio Muting / Chopper circuits).

Etapas de entrada de alta impedancia para sensores piezoeléctricos y preamplificadores.