- Nicht auf Lager
MTE53N50E
44,63 $
steuerfrei
MTE53N50E
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- TMOS POWER FET
- 2500 V RMS Isolated Isotop Package
- Avalanche Energy Specified
- Source-to-Drain Diode Recovery Time
- Compatible to a Discrete Fast Recovery Diode
- Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
- Very Low Internal Parasitic Inductance
- IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
- U.L. Recognized, File #E69369
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MTE53N50E
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MTE53N50E
Kommentare (0)
Aktuell keine Kunden-Kommentare
16 andere Artikel in der gleichen Kategorie:
