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MTE53N50E
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MTE53N50E
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Delivery policy
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- TMOS POWER FET
- 2500 V RMS Isolated Isotop Package
- Avalanche Energy Specified
- Source-to-Drain Diode Recovery Time
- Compatible to a Discrete Fast Recovery Diode
- Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
- Very Low Internal Parasitic Inductance
- IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
- U.L. Recognized, File #E69369
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
MTE53N50E
Referencias específicas
- MPN
- MTE53N50E
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