- Sobre pedido
MTE53N50E
44,63 $
Sin impuestos
MTE53N50E
Security policy
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Envíos y devoluciones
Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación
Trademark Disclaimer
Todas las marcas, logotipos y números de parte son propiedad de sus dueños click para más info.
Features
TMOS POWER FET
2500 V RMS Isolated Isotop Package
Avalanche Energy Specified
Source-to-Drain Diode Recovery Time
Compatible to a Discrete Fast Recovery Diode
Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
Very Low Internal Parasitic Inductance
IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
U.L. Recognized, File #E69369
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
MTE53N50E
Referencias específicas
- MPN
- MTE53N50E
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.
16 otros productos en la misma categoría:
Productos más vistos
