SKM300GB123DH6

El SKM300GB123DH6 de Semikron (familia SEMITRANS 2) es un módulo de potencia IGBT dual en configuración de medio puente (Half-Bridge). Incorpora tecnología IGBT NPT (Non-Punch-Through) de alta velocidad de conmutación junto con diodos de ruleta libre calibrados de silicio (CAL freewheeling diode) integrados en el mismo encapsulado.

Diseñado para soportar tensiones de ruptura de hasta 1200 V y corrientes continuas de colector de 300 A, este dispositivo ofrece un coeficiente de temperatura positivo de la tensión de saturación Colector-Emisor, facilitando la conexión en paralelo de múltiples módulos. Su placa base de cobre aislado electromecánicamente mediante sustrato DBC (Direct Bonding Copper) garantiza un excelente rendimiento térmico y una elevada inmunidad ante ciclos mecánicos y de potencia exigentes.

Specs

Marca / Fabricante: Semikron (SEMIKRON Danfoss)

Número de Parte / Código: SKM300GB123DH6

Serie / Encapsulado: SEMITRANS 2

Configuración del Módulo: Medio puente / Dual IGBT (Half-Bridge topology)

Tecnología de Chip: NPT-IGBT / CAL Diode

Conexión de Potencia: Terminales de tornillo M5 incorporados en la parte superior

Conexión de Control: Terminales rápidos de pala / Faston de 2.8 mm

Especificaciones Eléctricas Máximas y Nominales

Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

Corriente Continua de Colector (Ic):

300 A a temperatura de carcasa Tcase = 25 °C

220 A a 230 A a temperatura de carcasa Tcase = 80 °C

Corriente Pulsada de Colector (Icrm): 600 A (tp = 1 ms)

Tensión Emisor-Puerta (Vges): +/- 20 V

Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce sat): 3.1 V (típica a Ic = 300 A, Vge = 15 V, Tj = 125 °C)

Corriente Continua del Diodo Inverso (If): 300 A (Tcase = 25 °C)

Tensión Directa del Diodo (Vf): 2.0 V (típica a If = 300 A, Tj = 125 °C)

Especificaciones Dinámicas y de Conmutación

Energía de Encendido por Ciclo (Eon): 28 mJ (a Vcc = 600 V, Ic = 300 A, Tj = 125 °C)

Energía de Apagado por Ciclo (Eoff): 23 mJ (a Vcc = 600 V, Ic = 300 A, Tj = 125 °C)

Tolerancia a Cortocircuito (tpsc): 10 microsegundos (a Vcc = 720 V, Vge <= 15 V, Tj = 125 °C)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Chip-Carcasa (Rth j-c):

IGBT: 0.085 K/W

Diodo: 0.18 K/W

Temperatura de Unión de Operación (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento de CA (Visol): 2500 V CA (1 minuto, 50 Hz)

Torque de Apriete Recomendado:

Montaje a disipador (M5): 3.0 Nm a 5.0 Nm

Terminales de potencia (M5): 2.5 Nm a 5.0 Nm

Dimensiones de la Base: 93 mm x 34 mm (Altura total del bloque: 30 mm)

Peso Aproximado: 160 g

Variadores de frecuencia para control de motores trifásicos de CA (VFD).

Sistemas de alimentación ininterrumpida de alta potencia (UPS).

Inversores para soldadura eléctrica industrial.

Convertidores de energía renovable (inversores solares y turbinas eólicas).

Calentamiento por inducción y fuentes de alimentación conmutadas de alta tensión.