D10PF06

El D10PF06 (referencia completa STD10PF06 o STD10PF06T4) de STMicroelectronics (familia STripFET II Power MOSFET) es un transistor MOSFET de potencia de canal P en tecnología planar de silicio (P-Channel 60V Power MOSFET), diseñado para aplicaciones de conmutación en el lado positivo (high-side switching), control de motores de corriente continua, etapas de conversión DC-DC y circuitos de gestión de potencia industrial y automotriz.

Fabricado con el proceso STripFET II de alta densidad de celdas para reducir la resistencia de conducción y minimizar la carga de compuerta (low gate charge), se presenta comúnmente en encapsulado de montaje superficial DPAK (TO-252) o inserción IPAK (TO-251). Soporta una tensión de ruptura drenador-fuente (VDS) de -60 V, una corriente continua de drenador (ID) de -10 A (a 25 °C) y una resistencia en estado de conducción (RDS(on)) típica de 0.18 ohmios (máximo 0.20 ohmios a VGS = -10 V), ofreciendo una alta capacidad de avalancha (100% testado) y una robusta tolerancia a pendientes de tensión (dv/dt).

Specs

Fabricante: STMicroelectronics

Modelo / Referencia: D10PF06 / STD10PF06 (STD10PF06-1 en IPAK / STD10PF06T4 en DPAK)

Código de Producto / UNSPSC: 32111600 (32111612 / Transistores de efecto de campo / MOSFETs)

Familia / Serie: Serie STripFET II (P-Channel Power MOSFETs)

Tipo de Componente: Transistor MOSFET de potencia canal P (P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET)

Tipo de Montaje: Montaje superficial (SMD en encapsulado DPAK / TO-252) o inserción (THT en IPAK / TO-251)

Desglose de la Nomenclatura

ST: Fabricante STMicroelectronics

D: Encapsulado DPAK / TO-252 (o IPAK si lleva sufijo -1)

10: Corriente nominal continua de drenador de 10 A

P: Transistor de polaridad canal P (P-Channel)

F: Familia tecnológica STripFET

06: Tensión máxima de ruptura drenador-fuente de 60 V

Especificaciones Eléctricas de Operación

Polaridad del Transistor: Canal P (P-Channel)

Tensión Drenador-Fuente Máxima (VDS): -60 V

Tensión Compuerta-Fuente Máxima (VGS): ±20 V

Corriente Continua de Drenador (ID):

-10 A (a TC = 25 °C)

-7 A (a TC = 100 °C)

Corriente Pulsada de Drenador (IDM): -40 A

Resistencia Estática Drenador-Fuente (RDS(on)):

Típica: 0.18 ohmios (a VGS = -10 V, ID = -5 A)

Máxima: 0.20 ohmios

Tensión de Umbral de Compuerta (VGS(th)): -2.0 V a -4.0 V (a VDS = VGS, ID = -250 uA)

Disipación Total de Potencia (Ptot): 40 W (a TC = 25 °C)

Factor de Desclasificación Térmica: 0.27 W/°C

Parámetros Dinámicos y de Conmutación

Carga Total de Compuerta (Qg): Típica de 16 nC (máximo 21 nC a VDD = -48 V, ID = -10 A, VGS = -10 V)

Carga Compuerta-Fuente (Qgs): Aprox. 4 nC

Carga Compuerta-Drenador (Qgd): Aprox. 6 nC

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 850 pF (a VDS = -25 V, f = 1 MHz, VGS = 0 V)

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 230 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss): Aprox. 75 pF

Tiempos de Conmutación (Carga Resistiva):

Retardo de encendido (td(on)): Aprox. 20 ns

Tiempo de subida (tr): Aprox. 40 ns

Retardo de apagado (td(off)): Aprox. 40 ns

Tiempo de bajada (tf): Aprox. 10 ns

Diodo Interno Drenador-Fuente

Corriente Continua del Diodo (ISD): -10 A

Corriente Pulsada del Diodo (ISDM): -40 A

Tensión Directa del Diodo (VSD): Máximo -2.5 V (a ISD = -10 A, VGS = 0 V)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 100 ns

Construcción Mecánica y Térmica

Encapsulado Principal: DPAK / TO-252 (versión SMD) o IPAK / TO-251 (versión THT)

Disposición de Pines (DPAK/IPAK):

Pin 1: Compuerta (Gate)

Pin 2 / Pestaña térmica trasera: Drenador (Drain)

Pin 3: Fuente (Source)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rthj-case): Máximo 3.75 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Ambiente (Rthj-amb): Máximo 100 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 0.3 g a 0.35 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación en Unión (Tj): -65 °C a +175 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -65 °C a +175 °C

Energía de Avalancha en Pulso Simple (EAS): 125 mJ (iniciando Tj = 25 °C, ID = 10 A)

Normativas y Cumplimiento: Marcado CE, directiva RoHS sin plomo

Conmutación de alimentación en el lado positivo (High-Side Load Switch) en módulos de control.

Puentes H completos o medios puentes para control de motores DC e inversores compactos.

Convertidores de potencia DC-DC (reductores Buck y elevadores Boost).

Protección contra inversión de polaridad en fuentes de alimentación y actuadores industriales/automotrices.